風力エネルギー、太陽エネルギー、ヒートポンプ、新エネルギー装備、電気自動車、軌道交通などの分野の発展に伴い、すでに段階的に兆級の市場規模に入っている。これらの分野では絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）が使用される。下流市場の急速な発展はIGBTモジュールパッケージの重要な材料であるセラミック銅被覆板に大きな需要を形成するだろう。このような下流市場の利益の下で、高性能のセラミック銅被覆基板を開発して異なる分野の需要に適応し、特に高信頼の窒化アルミニウム基板、窒化シリコン基板及びその銅被覆板の研究開発及び産業化の進展を加速させる必要がある。

一、セラミックス基板はIGBTの重要な基礎材料である

高圧高出力IGBTモジュールが発生する熱は主にセラミック銅被覆板を介してハウジングに伝導されて放出されるため、セラミック銅被覆板は電力電子分野の電力モジュールパッケージの不可欠な基礎材料である。

セラミックス基板はセラミックスの高熱伝導性、高電気絶縁性、高機械強度、低膨張などの特性を有するとともに、無酸素銅金属の高導電性と優れた溶接性能を有し、PCB配線板のように様々なパターンをエッチングすることができる。

セラミック銅被覆板には、電力電子封止材料が有する様々な利点が集合している：

1）セラミックス部分は優れた熱伝導耐圧特性を有し、

2）銅導体部分は極めて高いキャリア能力を有し、

3）金属とセラミックスの間に高い付着強度と信頼性がある、

4）パターンをエッチングし、回路基板を形成するのに便利である、

5）溶接性能が優れ、アルミニウムワイヤボンディングに適している。

二、三大材料が主流になる

セラミック基板材料の性能はセラミック銅被覆板の性能の決定要因である。現在、セラミック銅被覆基板の材料として使用されているセラミックスは、アルミナセラミックス基板、窒化アルミニウムセラミックス基板、窒化シリコンセラミックス基板の3種類である。