半导体硅片,硅基衬底,光刻加工是半导体器件制造工艺中最重要的一个步骤，光刻是使用带有图形设计的掩膜版（mask），通过光化学反应，经过曝光和显影，使光敏的光刻胶在衬底上形成图形的工艺。光刻工艺主要应用与半导体器件加工、集成电路制造等。光刻EMES,微纳米加工,光刻EMES微纳加工,光刻亚微级代工

       光刻加工主要过程：首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶（前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶），使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。

紫芯ZIXIN半导体光刻加工工艺参数

       加工精度：1μm，精度5%以内

       衬底材料：硅片，氧化硅片，玻璃，蓝宝石，陶瓷，PI/PET柔性基材

       衬底尺寸：6'、4'、2' 以及不规则小片