光刻加工是半导体器件制造工艺中最重要的一个步骤,光刻是使用带有图形设计的掩膜版(mask),通过光化学反应,经过曝光和显影,使光敏的光刻胶在衬底上形成图形的工艺。光刻工艺主要应用与半导体器件加工、集成电路制造等。光刻EMES,微纳米加工,光刻EMES微纳加工,光刻亚微级代工
光刻加工主要过程:首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面,引起曝光区域的光刻胶发生化学反应;再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶(前者称正性光刻胶,后者称负性光刻胶),使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上;最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。
紫芯ZIXIN半导体光刻加工工艺参数
加工精度:1μm,精度5%以内
衬底材料:硅片,氧化硅片,玻璃,蓝宝石,陶瓷,PI/PET柔性基材
衬底尺寸:6'、4'、2' 以及不规则小片